Transistor de canal N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.7M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2980pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1770pF. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Función: CC-CC aislada de alta frecuencia. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 440A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00