transistor de canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V
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Transistor de canal N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 360pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 16.7nC. Corriente de drenaje: 9.7A. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: Baja carga de entrada. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 37A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Polaridad: unipolares. Potencia: 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia térmica de alojamiento: 3.1K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00