Transistor de canal N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 360pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 5.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 9.2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF520PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.8 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22