Transistor de canal N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 670pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 26nC. Corriente de drenaje: 10A, 16A. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 56A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. Polaridad: unipolares. Potencia: 88W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 0.16 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00