Transistor de canal N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO220AB. Características: -. Corriente máxima de drenaje: 14A. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 14A. Información: -. MSL: -. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 75W. Serie: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: VISHAY IR. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:35