Transistor de canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1960pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 47.3nC. Corriente de drenaje: 33A. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 115 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Polaridad: unipolares. Potencia: 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1.1K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08