transistor de canal N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB
Cantidad
Precio unitario
5-9
1.01€
10-49
0.92€
50-249
0.82€
250-1049
0.75€
1050+
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Transistor de canal N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO220AB. Características: -. Corriente máxima de drenaje: 33A. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 33A. Información: -. MSL: -. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 130W. Serie: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:35
IRF540NPBF
16 parámetros
Vdss (voltaje de drenaje a fuente)
100V
Tensión drenaje-fuente (Vds)
100V
Resistencia en encendido Rds activado
0.044 Ohms
Vivienda
TO220AB
Corriente máxima de drenaje
33A
Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua)
33A
Pd (disipación de potencia, máx.)
130W
Polaridad
MOSFET N
Potencia
130W
Tensión de puerta/fuente Vgs máx.
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montaje
THT
Tipo de transistor
transistor de potencia MOSFET
Voltaje de accionamiento
10V
Producto original del fabricante
Infineon
Cantidad mínima
5