Transistor de canal N IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 330pF. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Equivalentes: IRF540NSPBF. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08