Transistor de canal N IRF540PBF, TO220, 100V, 100V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1700pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohms @ 17A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 28A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 22A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF540PBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Polaridad: MOSFET N. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 53 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Tipo de montaje: THT. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42