Transistor de canal N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 540pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Cargar: 23.3nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 9.5A. Costo): 90pF. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 9A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación de alta corriente. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 36A. Marcado del fabricante: IRF630. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Polaridad: unipolares. Potencia: 82W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1.83K/W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08