Transistor de canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 575pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 74W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 9A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF630N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 27 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.9 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:06