Transistor de canal N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1160pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 44.7nC. Corriente de drenaje: 18A. Costo): 185pF. Diodo Trr (Mín.): 167 ns. Función: -. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 72A. Marcado del fabricante: IRF640NPBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Polaridad: unipolares. Potencia: 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08