Transistor de canal N IRF640NPBF, TO220, 200V, 200V, 0.15 Ohms, 200V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.15 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 18A. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 18A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF640NPBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 150W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22