transistor de canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220
Cantidad
Precio unitario
3-5
1.91€
6-49
1.84€
50-149
1.57€
150-549
1.48€
550+
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Transistor de canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO220. Características: -. Corriente máxima de drenaje: 18A. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Información: -. MSL: -. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 125W. Serie: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: VISHAY IR. Cantidad mínima: 3. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:35
IRF640PBF
16 parámetros
Vdss (voltaje de drenaje a fuente)
200V
Tensión drenaje-fuente (Vds)
200V
Resistencia en encendido Rds activado
0.18 Ohms
Vivienda
TO220
Corriente máxima de drenaje
18A
Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua)
18A
Pd (disipación de potencia, máx.)
40W
Polaridad
MOSFET N
Potencia
125W
Tensión de puerta/fuente Vgs máx.
-20V
Tipo de canal
N
Tipo de montaje
THT
Tipo de transistor
transistor de potencia MOSFET
Voltaje de accionamiento
10V
Producto original del fabricante
VISHAY IR
Cantidad mínima
3