Transistor de canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 50V. Cantidad por caja: 2. Función: 2xN-CH 50V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27