transistor de canal N IRF7103TRPBF, SO8
Cantidad
Precio unitario
1-4
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Transistor de canal N IRF7103TRPBF, SO8. Vivienda: SO8. Cargar: 12nC. Corriente de drenaje: 3A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Voltaje de fuente de drenaje: 50V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:22
IRF7103TRPBF
12 parámetros
Vivienda
SO8
Cargar
12nC
Corriente de drenaje
3A
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
2W
Resistencia térmica
62.5K/W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Voltaje de fuente de drenaje
50V
Voltaje de fuente de puerta
20V, ±20V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)