Transistor de canal N IRF710PBF, 400V, 3.6 Ohms, 400V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 400V. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 170pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 2A. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF710PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38