Transistor de canal N IRF730, TO-220, 400V, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220AB, 400V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 530pF. Cargar: 38nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 3.5A, 5.5A. Costo): 170pF. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 74W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 5.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 5.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 22A. Marcado del fabricante: IRF730. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Polaridad: unipolares. Potencia: 74W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en el estado: 1 Ohm. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 400V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08