transistor de canal N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v
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Transistor de canal N IRF7303, SO, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 4.9A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 2. Cargar: 16.7nC. Corriente de drenaje: 4.9A. Función: 0.05R. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Tipo de canal: N. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27