transistor de canal N IRF7313, SO, SO-8
Cantidad
Precio unitario
1-4
0.95€
5-49
0.80€
50-99
0.69€
100-199
0.63€
200+
0.54€
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Transistor de canal N IRF7313, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Cargar: 22nC. Corriente de drenaje: 6.5A. Equivalentes: IRF7313PBF. Función: transistor MOSFET. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27
IRF7313
17 parámetros
Vivienda
SO
Vivienda (según ficha técnica)
SO-8
Cantidad por caja
2
Cargar
22nC
Corriente de drenaje
6.5A
Equivalentes
IRF7313PBF
Función
transistor MOSFET
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
8:1
Polaridad
unipolares
Potencia
2W
Resistencia térmica
62.5K/W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Voltaje de fuente de drenaje
30V
Voltaje de fuente de puerta
20V, ±20V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies