Transistor de canal N IRF7341, 55V, SO8, SO-8. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Vivienda: SO8. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 2. Características: -. Función: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4.7A. Información: -. MSL: -. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Polaridad: MOSFET N. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: SMD. Unidad de acondicionamiento: 95. Voltaje de accionamiento: -. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43