Transistor de canal N IRF7343TRPBF, SO8, -55V, 55V/-55V. Vivienda: SO8. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V/-55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740/690pF. Características: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 4.7A/-3.4A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 3.4A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: F7343. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Polaridad: MOSFET N+P. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 48/64 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12/22 ns. Tipo de montaje: SMD. Voltaje de accionamiento: -. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24