Transistor de canal N IRF7389PBF, SO8, 30V/-30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 650/710pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 5.9A/-4.2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marcado del fabricante: F7389. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26/34 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns/13 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45