Transistor de canal N IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 36nC. Corriente de drenaje: 10A, 6.3A. Costo): 330pF. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Función: Transistor MOSFET de potencia de conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 40A. Marcado del fabricante: IRF740PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Polaridad: unipolares. Potencia: 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 0.55 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Voltaje de fuente de drenaje: 400V. Voltaje de fuente de puerta: ±30V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4 v. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43