transistor de canal N IRF740SPBF, D²-PAK, TO-263, 400V

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Transistor de canal N IRF740SPBF, D²-PAK, TO-263, 400V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1400pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 10A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF740SPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 50 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38

Documentación técnica (PDF)

IRF740SPBF

17 parámetros

Vivienda

D²-PAK

Vivienda (norma JEDEC)

TO-263

Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]

400V

Capacitancia de puerta Ciss [pF]

1400pF

Configuración

componente montado en superficie (SMD)

Disipación máxima Ptot [W]

125W

Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.55 Ohms @ 6A

Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C

10A

Familia de componentes

MOSFET, N-MOS

Marcado del fabricante

IRF740SPBF

Número de terminales

Retardo de desconexión tf[nseg.]

50 ns

RoHS

sí

Temperatura máxima

+150°C.

Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]

4 v

Tiempo de encendido ton [nseg.]

14 ns

Producto original del fabricante

Vishay (ir)