Transistor de canal N IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 680pF. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. IDss (mín.): 12uA. Identificación (diablillo): 58A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 8.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Chipcad. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:00