transistor de canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v
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Transistor de canal N IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1210pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 9.5nC. Corriente de drenaje: 13A. Costo): 270pF. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Función: Impedancia de puerta ultrabaja. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 100A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Polaridad: unipolares. Potencia: 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en el estado: 10M Ohms. Resistencia térmica: 50K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 8.7 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 95. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Voltaje de fuente de drenaje: 30V. Voltaje de fuente de puerta: 20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43