Transistor de canal N IRF7807, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. IDss (mín.): 30uA. Identificación (diablillo): 66A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43