Transistor de canal N IRF7807Z, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 770pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 190pF. Diodo Trr (Mín.): 31us. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 88A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43