Transistor de canal N IRF7821PBF, SO8, 30 v. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1010pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 13.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: F7821. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 9.7 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +155°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.3 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45