Transistor de canal N IRF8010S, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 3850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 480pF. Diodo Trr (Mín.): 99 ns. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 320A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43