Transistor de canal N IRF820, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 360pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 92pF. Diodo Trr (Mín.): 260 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 8A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43