transistor de canal N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V
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Transistor de canal N IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 610pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 38nC. Corriente de drenaje: 4.5A, 2.9A. Costo): 160pF. Diodo Trr (Mín.): 320 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 18A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Polaridad: unipolares. Potencia: 74W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en el estado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 500V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43