Transistor de canal N IRF830PBF, TO220AB, 500V, 500V, 1.5 Ohms, 500V. Vivienda: TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 500V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 610pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 4.5A. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 4.5A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4.5A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF830PBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 74W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 42 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.2 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22