Transistor de canal N IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 63nC. Corriente de drenaje: 8A, 5.1A. Costo): 310pF. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 32A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Polaridad: unipolares. Potencia: 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 0.85 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 49 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 500V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43