Transistor de canal N IRF840ASPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1018pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 8A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRF840ASPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45