Transistor de canal N IRF8707G, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.142 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 760pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 170pF. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 88A. Marcado en la caja: IRF8707G. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 7.3 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43