Transistor de canal N IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190/190pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.5A/-2.3A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marcado del fabricante: F9952Q. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 26/40 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns/19 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45