Transistor de canal N IRFB11N50A, 7A, 11A, 250uA, 0.52 Ohms, TO-220, TO-220, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.52 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1423pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 208pF. Diodo Trr (Mín.): 510 ns. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 52 nC. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 44A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: N-Ch MOSFET, VBRDSS 500V. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 14 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43