Transistor de canal N IRFB18N50K, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2830pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 3310pF. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): 50uA. Identificación (diablillo): 68A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43