Transistor de canal N IRFB31N20D, 21A, 31A, 250uA, 0.082 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.082 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2370pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Función: SMPS, Convertidores CC-CC de alta frecuencia. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 124A. Marcado en la caja: FB32N20D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43