Transistor de canal N IRFB3307Z, 90A, 128A, 250uA, 0.0046 Ohm, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 90A. DI (T=25°C): 128A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0046 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 75V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4750pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 420pF. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 512A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43