transistor de canal N IRFB3607PBF, TO220AB
Cantidad
Precio unitario
1-4
2.10€
5-9
1.32€
10-19
1.17€
20-49
1.08€
50+
1.01€
| Cantidad en inventario: 10 |
Transistor de canal N IRFB3607PBF, TO220AB. Vivienda: TO220AB. : mejorado. Cargar: 56nC. Corriente de drenaje: 80A. Embalaje: tubus. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 140W. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 75V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 22:06
IRFB3607PBF
13 parámetros
Vivienda
TO220AB
mejorado
Cargar
56nC
Corriente de drenaje
80A
Embalaje
tubus
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
140W
Tecnología
HEXFET®
Tipo de transistor
N-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
75V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies