Transistor de canal N IRFB3607PBF, TO220AB. Vivienda: TO220AB. : mejorado. Cargar: 56nC. Corriente de drenaje: 80A. Embalaje: tubus. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 140W. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 75V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 09/11/2025, 09:02