transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.17€
5-24
1.88€
25-49
1.65€
50-99
1.50€
100+
1.28€
Cantidad en inventario: 122

Transistor de canal N IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 80m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 74pF. Diodo Trr (Mín.): 64 ns. Función: Parámetros clave optimizados para audio Clase-D. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 51A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43

Documentación técnica (PDF)
IRFB4019
32 parámetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
80m Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
150V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
800pF
Cantidad por caja
1
Costo)
74pF
Diodo Trr (Mín.)
64 ns
Función
Parámetros clave optimizados para audio Clase-D
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
51A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
12 ns
Td(encendido)
7 ns
Tecnología
MOSFET de audio digital
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) máx.
4.9V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
International Rectifier