transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.27€
5-24
1.95€
25-49
1.72€
50-99
1.57€
100+
1.34€
Cantidad en inventario: 49

Transistor de canal N IRFB4020, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 80m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 91pF. Diodo Trr (Mín.): 82 ns. Función: Parámetros clave optimizados para audio Clase-D. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 52A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7.8 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4.9V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43

Documentación técnica (PDF)
IRFB4020
32 parámetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
18A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
80m Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
1200pF
Cantidad por caja
1
Costo)
91pF
Diodo Trr (Mín.)
82 ns
Función
Parámetros clave optimizados para audio Clase-D
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
52A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
100W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
16 ns
Td(encendido)
7.8 ns
Tecnología
MOSFET de audio digital
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
50
Vgs(th) mín.
3V
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
4.9V
Producto original del fabricante
International Rectifier