Transistor de canal N IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 3.7m Ohms. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 9620pF. Cantidad por caja: 1. Características: -. Corriente máxima de drenaje: 120A. Costo): 670pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: Conmutador PDP. IDss (mín.): 20uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 180A. Identificación (diablillo): 670A. Información: -. MSL: -. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 370W. Peso: 1.99g. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 370W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Rds on (max) @ id, VGS: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 78 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43