Transistor de canal N IRFB4115, 74A, 104A, 250uA, 0.0093 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0093 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 5270pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 490pF. Diodo Trr (Mín.): 86 ns. Función: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Switching. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 420A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 380W. Peso: 1.99g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 41 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43