Transistor de canal N IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 38m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 4560pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Función: Amplificador de audio clase D 300W-500W (medio puente). IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 180A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43