Transistor de canal N IRFB4710PBF, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 6160pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 75A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFB4710PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 41 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 35 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06