Transistor de canal N IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2770pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 590pF. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Función: Convertidores CC-CC de alta frecuencia, Pantalla de plasma. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 230A. Marcado en la caja: FB52N15D. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43